鐵之狂傲

標題: 傳輸速度達12.8GB/s，三星研製出1Gb DRAM記憶體移動晶片 [列印本頁]
作者: LEOZ    時間: 11-2-22 00:00
標題: 傳輸速度達12.8GB/s，三星研製出1Gb DRAM記憶體移動晶片
　　據國外媒體報導，三星近日已研製出基於50nm工藝的1Gb DRAM記憶體晶片，該記憶體晶片能夠應用於智慧型手機和平板等移動設備。

　　該記憶體晶片的傳輸速度達到12.8GB/s，比目前移動晶片的速度提高了8倍。三星表示，這種新的移動DRAM記憶體晶片的耗電量比以前的晶片減少了約87%。

　　在2013年之前，三星計劃研製出基於20nm工藝的4Gb移動記憶體晶片。相關數據顯示，2014年，三星DRAM記憶體晶片的出貨量比例將從2010年的11.1%增長到16.5%。

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　　更多相關訊息，請瀏覽三星官方網站。




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