鐵之狂傲

標題: 重奪工藝王座,英特爾與美光推出20nm製程NAND快閃記憶體晶片 [列印本頁]

作者: LEOZ    時間: 11-4-15 00:00
標題: 重奪工藝王座,英特爾與美光推出20nm製程NAND快閃記憶體晶片
  日前,英特爾(Intel)與美光(Micron)公司共同宣佈推出20nm製程的NAND快閃記憶體晶片,重新奪回了NAND快閃記憶體製作工藝的王座。  
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  據稱,目前雙方已經成功研製20nm製程的8GB NAND MLC快閃記憶體晶片,晶片面積為118mm²,尺寸可比同容量的25nm製程產品減少約三分之一,性能與壽命方面則基本保持一致。
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  另外英特爾與美光方面表示,這款新產品目前還處於試樣階段,預計在今年下半年由兩者合資的IMFT公司進行量產,主要針對智慧型手機、平板電腦和固態硬碟等領域。屆時還將推出同為20nm製程的16GB NAND快閃記憶體晶片,而最終的目標是將晶片容量提升至128GB。




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