鐵之狂傲

標題: DRAM記憶體的未來，美光HMC記憶體可提供128GB/s的頻寬 [列印本頁]

作者: VIRGOS 時間: 11-8-25 00:00
標題: DRAM記憶體的未來，美光HMC記憶體可提供128GB/s的頻寬
　　早在今年2月份，美光(Micron)就發布了其創新記憶體技術Hybrid Memory Cube(混合記憶體立方體，以下簡稱HMC)。而在日前的Hot Chips大會上，美光再次展示了這個技術，並將其稱為是“DRAM記憶體的未來”。

　　美光方面表示，HMC記憶體技術最大的突破就是記憶體頻寬，目前DDR3-1600記憶體可以提供的頻寬為12.8GB/s，但是在展會上的HMC記憶體則可以提供128GB/s的頻寬，而且功耗和體積僅有DDR3記憶體的10%。
　　當然，這並不是HMC記憶體的最終形態。據目前資料顯示，HMC記憶體技術採用的是堆疊封裝技術，將多層DRAM和一層邏輯電路共同封裝，並採用TSV矽穿孔技術進行互聯。其中邏輯電路層起重要作用，其將扮演記憶體控製器的角色，以超高頻寬匯流排與CPU連接，頻寬最高可達DDR3記憶體的20倍。

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