鐵之狂傲
標題:
容量再翻倍，IMFT宣佈第二款20nm工藝NAND快閃記憶體晶片出爐
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作者:
scorpious
時間:
11-12-7 11:42
標題:
容量再翻倍，IMFT宣佈第二款20nm工藝NAND快閃記憶體晶片出爐
在今年4月份，有英特爾和美光聯手打造的快閃記憶體廠商IMFT(Intel Micron Flash Technologies)正式
宣佈
推出20nm製程的NAND快閃記憶體晶片。其首款產品是64Gb MLC NAND快閃記憶體晶片，晶片面積為118mm²，尺寸比同容量的25nm製程產品減少約三分之一但性能與壽命方面則基本保持一致。
11-12-7 12:03 上傳
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日前，第二款由IMFT打造的20nm NAND快閃記憶體晶片亦正式出爐了。該款產品容量為128Gb(即16GB)，內部連接界面採用了最新的ONFi 3.0標準，傳輸頻寬達333MT/s，可有效提升快閃記憶體的持續讀取速度。另外新產品的Page Size也發生了變化，從現在常用的4KB提升到16KB。實際上，即使是稍早的64Gb產品，其Page Size亦已經提升至8KB，不過內部連接界面使用的仍然是ONFi 2.x標準。
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IMFT表示，由於目前大多數固態硬碟的主控晶片僅支援Page Size為4KB的快閃記憶體晶片，因此他們發布的兩款20nm工藝快閃記憶體在短期內都不會出現應用在固態硬碟產品上。考慮到研發新主控和新韌體所需要的時間，他們預計採用20nm工藝快閃記憶體的固態硬碟將會在2013年上市，屆時固態硬碟將真正邁入TB級時代。
消息來源：[
DailyTech
]
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