鐵之狂傲

標題: DDR4還得等2年，ISSCC記憶體技術發展一覽 [列印本頁]
作者: LEOZ    時間: 12-3-6 11:04
標題: DDR4還得等2年，ISSCC記憶體技術發展一覽
　　目前伺服器和PC領域是DDR3記憶體標準當道，移動和智慧型設備平台上則以低功耗的LPDDR2記憶體主打，不過據PCWatch報導JEDEC已經未雨綢繆，分別制定了DDR4和LPDDR3標准以接替二者的工作。相關的新一代記憶體技術細節也在日前的ISSCC 2012會議上陸續公開。 DDR4：速度翻倍，2013年開始應用
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　　主流的DDR3記憶體速率為1.6Gbps(DDR3-1600)，DDR4的目標是速度至少提高一倍，起始速率達到3.2Gbps，最早將會在2013年應用在伺服器市場，2014年才能走入PC平台。
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　　其實三星電子已在去年1月4日就製造出了DDR4記憶體，使用的工藝是30nm，速率為2133Mbps，工作電壓1.2V，容量2Gbit。
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　　三星拿出的4Gbit容量DDR4記憶體工作電壓1.2V，依然是3層CMOS 30nm製造工藝，未來會採用下一代20nm工藝。
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　　試產的型號實際工作電壓1.14V，速率也可以達到3.3Gbps。上圖展示的就是三星DDR4記憶體的核心。
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　　Hynix展出的DDR4記憶體容量為2Gbit，製程工藝為3層佈線的38nm工藝，速率為2.4Gbps，工作電壓也是1.2V。
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　　如果將DDR4記憶體的頻率降至DDR3相同的2133Mbps，那麼前者的功耗相比DDR3可以降低80%。而且即便電壓降至1.0V，速率依然能保持在2.4Gbps左右。
LPDDR3：頻寬翻倍，能耗更低
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　　目前在智慧型設備領域廣泛使用的LPDDR2也將會升級到LPDDR3標準，頻寬將從3.2GB/s提高到6.4GB/s，頻率從400MHz提高到800MHz，同時更加節能，預計在2013年開始推廣。
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　　三星展示的LPDDR3記憶體使用30nm工藝，容量4Gbit，電壓1.2V，32bit位寬，速率1.6Gbps，頻寬可達6.4GB/s。
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icon02.gif 三星展示的4Gbit LPDDR3記憶體核心面積為82mm2
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85°C高溫測試顯示降至1.05V下速率依然能維持在800MHz(1600MT/s)
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　　Hynix展示的4Gbit DDR3記憶體核心面積只有30.9mm2，因為它使用的製程工藝為23nm，2層銅佈線、1層鋁佈線。電壓也只有1.2V，與超低電壓版DDR3U相當，核心工作電壓甚至可以低至1.05V。
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　　ISSCC 2012會議上的DRAM廠商只有三星和hynix這兩家，日系榮光爾必達和美系精英美光都沒有露面，爾必達去年11月雖然宣佈了4Gbit LPDDR3記憶體，但是目前自身難保，美光在DRAM記憶體上也大不如前，只有大韓民國的兩家廠商兄弟之爭了。



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