鐵之狂傲
標題:
單晶片容量512Gb，全球首顆十六核NAND快閃記憶體誕生
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作者:
LEOZ
時間:
12-4-13 11:03
標題:
單晶片容量512Gb，全球首顆十六核NAND快閃記憶體誕生
現在的NAND快閃記憶體多採用MCP即多晶片封裝的方式，將多個儲存核心封裝在一起，以達到更高的單晶片的容量。只是受限於工藝和技術，目前多數NAND晶片內部僅整合了2個或者是4個的儲存核心，整合八個核心的產品已經甚為稀少。
12-4-13 11:06 上傳
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然而加拿大公司MOSAID科技在近日宣佈，他們已經成功生產出世界首款整合十六個儲存核心的NAND晶片，單晶片容量達512Gb(即64GB)。與傳統的MCP封裝產品不同，這款晶片採用了MOSAID科技獨有的HLNAND MCP封裝技術，通過兩個HyperLink NAND介面連接十六個容量為32Gb(即4GB)的儲存核心，並讓它們工作在1.8V的電壓下。
HyperLink NAND介面採用單位元組寬度設計，可提供333MB/s的頻寬，當兩個介面以同步的方式運行時，即可提供最高667MB/s的數據頻寬。這款晶片的誕生對推廣大容量SSD來說是一個不錯的開始，只是目前MOSAID科技尚未公佈這款NAND晶片的生產計畫，相信在短期內我們仍然看不到相關產品。
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