鐵之狂傲
標題:
20nm里程碑，GF開始安裝3D堆疊工藝相關設備
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作者:
CANCERS
時間:
12-5-15 10:02
標題:
20nm里程碑，GF開始安裝3D堆疊工藝相關設備
Intel的3D晶體管工藝已經開始量產，IBM、三星、GF參與的通用技術聯盟在三、四年後的
14nm節點才會啟用三柵極晶體管電路
，但是GF也不是沒有絶招，他們在
官網
宣佈了另一項3D工藝里程碑，將在未來的3D堆疊工藝上保持領先。
12-5-15 10:09 上傳
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3D堆疊工藝被視為傳統整合電路的替代者
位於紐約州薩拉托加城鎮的Fab 8晶圓廠正在安裝一種特殊的工具，它可以用來製造TSVs晶圓(
Through-silicon via
，貫通型晶圓通道)，有助於GF在未來的20nm工藝節點繼續保持領先地位。TSV技術主要用來製造多層堆疊晶片，可以滿足未來電子設備的苛刻需求。
簡單來說，TSV技術可以在晶圓上蝕刻出垂直的空洞，並用銅填充，堆疊的電路就可以借助這些銅線互相連接。舉例來說，TSV允許設計人員在處理器電路層上堆疊一層記憶體電路，這樣一來處理器和記憶體的連接將是晶片級的，可以極大地提高記憶體頻寬並減少功耗，這對智慧型手機和平板來說至關重要。
3D堆疊工藝被視為傳統整合電路的替代者，它的優勢和意義不亞於Intel的3D晶體管工藝。除了工藝自身的難題之外，對新型晶片封裝技術要求也很高，晶圓廠和合作夥伴必須提供端對端的一體式解決方案才能滿足要求。
Fab 8是GF旗下最先進的晶圓廠，主要致力於32/28nm及以下工藝的研究和生產，首個使用TSV技術的Full-flow晶圓將在2012年第三季開始運轉。
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