鐵之狂傲

標題: 美光宣佈大規模量產45nm PCM相變儲存快閃記憶體 [列印本頁]

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作者: LEOZ    時間: 12-7-24 11:03
標題: 美光宣佈大規模量產45nm PCM相變儲存快閃記憶體
　　下一代非易失性儲存技術爭霸戰中，MRAM(磁阻隨機存取儲存器)得到了最多注意，包括Intel、高通、三星在內的業界大腕也都在研究這一技術，另一個競爭者就是PCM(相變儲存器)，代表人物則是美光，日前他們宣佈已經成功大規模量產PCM，這將為PCM進入市場提供更多可能。

　　MaximumPC報導稱，美光使用45nm工藝成功量產1Gb PCM快閃記憶體，工作電壓為標準的1.8V，實際上這個記憶體是由1Gb容量的PCM快閃記憶體和512Mb的低功耗DDR2快閃記憶體組成，二者使用相同的傳輸界面。
　　美光公司希望初期的產品用於功能手機中，因為目前製造出的PCM容量還比較低，未來的PCM產品有望用於智慧型手機和平板中。
　　PCM快閃記憶體是以bit為單位進行單元擦除，這與NAND快閃記憶體以block區塊為單位擦除有明顯不同，因此擦除速度更快，這意味着其寫入性能更高，美光的F&Q頁面上表示PCM隨機讀取速度有400MB/s，這還只是第一代產品的性能。此外，美光表示PCM快閃記憶體的啟動速度更快。
　　與NAND快閃記憶體一樣，PCM也存在寫入次數限制，不過PCM的特性就是每個cell單元都可以儲存多位bit，因此PCM的可靠性理論上高於NAND，美光生產的PCM快閃記憶體寫入次數高達10萬次，堪比SLC快閃記憶體。

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