鐵之狂傲
標題:
三星30nm等級2GB LPDDR3與128GB NAND模組量產中
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作者:
LEOZ
時間:
12-9-26 10:43
標題:
三星30nm等級2GB LPDDR3與128GB NAND模組量產中
在使用30nm等級工藝量產2GB LPDDR2記憶體模組的一年之後，三星開始了30nm等級工藝2GB LPDDR3記憶體模組的量產。這款LPDDR3記憶體模組的工作頻率為1600MHz，比同等級工藝LPDDR2模組還要快50%，理論數據傳輸速率可達12.8GB/s，非常適合用在智慧型手機或平板電腦等移動設備上。
這款記憶體模組是通過4塊4Gb LPDDR3記憶體晶片封裝而成，總容量為2GB，雖然傳統PC例如桌上型電腦和筆記型電腦等產品作用不大，但是對智慧型手機和平板電腦來說就非常有用，意味着只需一塊晶片即可提供2GB的記憶體。從現有的發展趨勢來說，智慧型手機和平板電腦的記憶體容量很快就會達到2GB的水準，現在量產2GB LPDDR3記憶體模組改好可以趕上這個潮流。
除此之外，三星亦開始量產128GB的NAND快閃記憶體模組，同樣使用30nm等級工藝並通過多晶片封裝而成，主要針對的仍然是智慧型手機與平板電腦領域。縱觀目前整個移動設備領域，特別是智慧型手機與平板電腦領域，只有部分旗艦級產品會提供64GB的內建儲存空間，能配備更高容量的產品基本不存在。三星這次量產128GB NAND快閃記憶體模組則為未來的新旗艦打下了“超大容量”的基礎。
另外我們不妨如此猜測，既然三星已經量產30nm等級2GB LPDDR3記憶體模組和128GB NAND快閃記憶體模組，那麼預計在MWC 2013大會上露面的Galaxy S IV手機，是不是該配備2GB記憶體和128GB的儲存容量呢？這種可能性還是蠻大的。
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