鐵之狂傲

標題: UMC宣佈將開發20nm後端相容的14nm FinFET工藝 [列印本頁]

作者: CANCERS    時間: 12-11-12 11:06
標題: UMC宣佈將開發20nm後端相容的14nm FinFET工藝
  TSMC台積電和UMC聯電一度是並駕齊驅的代工廠雙雄,不過TSMC這幾年的發展速度非常快,業績已經遠遠超過了UMC,工藝上也領先後者至少一個節點進度。日前UMC宣佈他們也將在14nm工藝節點使用20nm工藝相容後端工序以加快普及速度。   之所以說也因為之前GlobalFoundries已經做過同樣的宣佈,他們將在2014年啟動的14nm-XM工藝使用的是14nm FinFET晶體管,但是後端工藝(back-end-of-line,簡稱BEOL)則是20nm相容的,UMC的作法與之相似。
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  UMC CEO孫世偉在財務分析會議上宣佈了這一消息,他表示:基於IBM的FinFET工藝授權,UMC決定在20nm工藝基礎上發展更先進的14nm工藝,通過雙重光刻技術(double patterning lithography)它能提供最最佳化的低功耗、高性能解決方案。
  雖然還不知道UMC公佈的實際細節,但是他們的FinFET工藝都是授權自IBM公司,如今所宣佈的內容也是一樣,因此實際作法與GF應該是相似的,都是在20nm後端程序上使用14nm刻度的FinFET晶體管而已。
  對UMC來說最大的問題是速度,GF將在2014年啟用14nm-XM工藝(如果不出意外的話),而UMC的時間進度未知,但是考慮到他們在2014年才會上馬28nm HKMG工藝,那麼間隔了一個20nm工藝階段的14nm FinFET工藝的應用時間實在不可預知。
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  除了20nm及14nm工藝研發之外,UMC未來也會配合客戶做一些特別的工藝,比如HV、嵌入式非易失性記憶體、BSI COMS背照式攝影機、2.5寸中介晶片之類的。




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