鐵之狂傲
標題:
下一代ARM處理器頻率可達3GHz，提速30%、功耗降25%
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作者:
CANCERS
時間:
13-7-16 04:00
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下一代ARM處理器頻率可達3GHz，提速30%、功耗降25%
目前的ARM處理器還處在40nm向28nm工藝升級的狀態，已知的性能最強、頻率最高的ARM處理器是驍龍800,頻率2.3GHz，TSMC 28nm HPM工藝生產。不過下一代ARM處理器將使用20nm工藝，頻率可達3GHz，頻率提升30%，而功耗會降低25%。
13-7-16 04:02 上傳
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Fudzilla報導稱，為了製造出更先進的處理器，下一代ARM至少要使用20nm工藝生產。在20nm節點，TSMC承諾新工藝製造的處理器速度可提升30%，功耗降低25%，同時晶體管密度比前代高1.9倍。
30%的速度提升意味着下一代ARM處理器最高頻率可達到3GHz左右，而更高的晶體管密度意味着未來的ARM處理器可整合性能更高的GPU，也許這就是NVIDIA未來Kepler架構的Tegra 5(代號Logon，金剛狼本名)要等到20nm節點的原因吧。
功耗降低25%意味着未來的SoC處理器的續航時間提升25%(原文如此，這麼算肯定不對，處理器功耗不等於設備功耗)，目前有關智慧型設備最大的抱怨就是續航時間，消費者不妨將目光放在未來的20nm處理器上。
功耗降低、性能提升也使得ARM面對X86領域的Intel、AMD有更強的競爭力，特別是在平板及可摺疊設備領域。只不過Intel也不是省油的燈，TSMC的20nm工藝要等到明年才能量產，而Intel在明年底就會上馬14nm工藝的Atom處理器了，而AMD在2014年甚至有可能用上GlobalFounderies公司的14nm-XM工藝了。
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