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氮化銦在低溫下的磁阻現象

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發表於 07-5-7 19:03:22 |只看該作者 |降序瀏覽大字中字小字正體化简体化

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編輯 Tzu-Ming Lu 報導研究發現氮化銦(InN)磊晶層在極低的溫度下會表現出極大的磁阻現象，在僅施加0.15T的磁場下，電阻增加10000倍。實驗所用的氮化銦磊晶層是以分子束磊晶技術成長於氮化鎵(GaN)之上。由於某些目前尚未了解的原因，氮化銦磊晶層不需摻雜(dope)即具有許多的N型載子，即使在低溫下也具有良好的導電性。當氮化銦磊晶層處在絕對溫度0.3K之下，並逐漸施加磁場，其電阻會迅速增加，在0.15T的磁場下，電阻是無磁場時的10000倍。之後則達到一飽和值。此現象僅在低溫可觀察到，當溫度上升到絕對溫度4K時即消失。此項研究由台大物理系發表於Applied Physics Letters上。作者提出此現象可能與氮化銦的超導性有關。在低溫下氮化銦呈現超導性，在施加磁場後超導性消失，因此電阻增加。但到目前為止，氮化銦的Meissner effect 仍未被觀察到，詳細的理論仍待進一步研究。參考來源：

Applied Physics Letters: Huge positive magnetoresistance in an InN film

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