【其他周邊】突破極限，IBM成功研製9nm製程碳晶體管

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scorpious

無名的勇者

電梯直達

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發表於 12-1-30 12:02:16 |只看該作者 |降序瀏覽大字中字小字正體化简体化

　　日前IBM正式宣佈，他們已經成功研發出製程為9nm的晶體管。這種晶體管採用了碳奈米管作為材料，而不是目前常用的矽晶體。據IBM表示，之所以採用碳奈米管打造晶體管，是因為矽存在10nm的理論極限。

　　製程工藝越小，晶片面積就越小，能耗就越低，這是目前被晶片製造產業普遍認同的“真理”。目前英特爾正在發展22nm工藝，預計在2015年就能發展到10nm工藝。不過矽打造的晶體管存在一個10nm的理論極限，繼續發展下去的空間並不大。但是碳奈米管可以突破這個極限，而且在降低能耗的表現上會有出人意料的表現。
　　當然，目前碳奈米管晶體管技術仍然處於早期階段，很多技術難題尚未解決，其中最主要的障礙是任何談混合金屬都會導致晶體管短路，因此目前技術可以生產單個晶體管，但仍然無法形成複雜的邏輯電路。但不管如何，碳奈米管晶體管技術的出現，也是一個重大的突破。

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