【儲存系統】三星宣佈首款45nm eflash快閃記憶體，擦寫次數達100萬次

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LEOZ

名望的勇者

電梯直達

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發表於 13-5-31 06:10:19 |只看該作者 |降序瀏覽大字中字小字正體化简体化

　　三星電子日前宣佈成功開發世界首款45nm工藝的eFlash嵌入式快閃記憶體，主要針對各種安全晶片應用，而之前的eFlash工藝主要是80nm，三星的45nm eFlash不僅速度更快，而且P/E擦寫次數可達100萬次。
　　三星電子系統整合電路業務副總金泰勛(Taehoon Kim)表示，三星的45nm eFlash可以廣泛應用於各種安全解決方案及移動設備中，包括智慧型卡IC、NFC IC、eSE嵌入式安全設備及TPM可信賴模組，測試晶片反映出的極高性能將鞏固三星在安全IC市場上的領先地位。
　　通過在快閃記憶體cell架構及操作層級的改進，三星的45nm eFlash相比之前的80nm eFlash的隨機速度提高了50%，能耗減少25%。更重要的是，45nm eFlash的可靠性更高，之前業界最好的水準是50萬次擦寫次數，三星的45nm eFlash的擦寫次數可達100萬次。
　　三星預計在2014年下半年開始基於45nm eFlash快閃記憶體的產品商業化進程。

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