【儲存系統】 Crossbar開發出新型儲存器RRAM，單晶片容量達1TB

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LEOZ

名望的勇者

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發表於 13-8-20 06:11:55 |只看該作者 |降序瀏覽大字中字小字正體化简体化

　　近日Crossbar公司宣稱開發出一種先進的非易失性儲存器，在一塊晶片上可以儲存1TB容量的資料，而且它的速度比傳統NAND快閃記憶體要快20倍，壽命是普通NAND快閃記憶體的10倍。　　他們採用的技術被稱為Resistive RAM(電阻式記憶體)，或是RRAM。在大小為200平方毫米的晶片上就可以做到1TB的容量，能裝下250部高清電影，超過10萬張高解析度圖片。
　　這種新型儲存器的cell單元採用了三層的結構，為非金屬下電極，非晶矽切換層和金屬上電極，若以3D堆疊的架構可以進一步擴大容量。

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