【CPU】工藝的進化，三星20nm製程ARM處理器試驗晶片流片成功

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發表於 11-7-13 00:00:00 |只看該作者 |降序瀏覽大字中字小字正體化简体化

　　日前三星電子正式宣佈，他們的20nm製程ARM處理器試驗晶片已經流片成功，這讓他們的晶片製造工藝向前邁進了一大步。
　　據三星表示，該試驗晶片由ARM Cortex-M0處理器核心和ARM Artisan物理IP模組組成，使用自動化電子設計廠商Cadence Design Systems提供的一體式數位流程RTL to GDSII製造，不過晶片的晶體管數量和核心面積的數據就沒有透露了。
　　另外三星還表示，20nm製程工藝由第二代後柵極(Gate Last)和高K金屬柵極(HKMG)技術、第二代超低K電介質材料、第五代應變矽晶圓、193mm沉浸式光刻工藝等多種工藝技術組成，雖然剛剛纔完成了流片試驗，但他們的20nm設計工具套裝已經正式向客戶提供，方便客戶對下一代工藝的產品進行規劃和設計。

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