鐵之狂傲

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  前不久有消息指出Intel下一代LGA2011旗艦Ivy Bridge-E處理器將在明年Q3季亮相,而伺服器對應的則為Ivy Bridge-EP(以下簡稱IVB-E/EP),二者的基本架構是相同的,只是針對的市場不同。   百度文庫上有人發了幾份“2012年Intel智慧型系統年度培訓”的系列資料,其中有兩篇分別涉及到Haswell和IVB-EP架構的,下面來看一下這兩個分別針對消費級及伺服器市場的新一代處理器架構特性。
Haswell篇
  有關Haswell架構的特點我們在“Intel新一代處理器架構前瞻”一文中講過,不過文庫上的資料更新,而且是全中文版的,二者可以互補。
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下一代消費級平台Shark Bay

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Haswell主體架構


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Haswell平台有兩種不同的封裝-雙晶片和單晶片

  雙晶片的方案中桌面版4C/2C TDP功耗為95/65W,WS版是45/35W,移動設備的4C/2C TDP則是47.37W,之前也介紹過。
  單晶片封裝的USW Ultra主打低功耗,支援DDR3L低壓記憶體,雙核版TDP只有15W。
  顯示卡方面GT2/GT3支援DX11.1 OpenGL 4.x以及OpenCL 1.2,支援VGA和DP/DVI/HDMI介面,不過Ultra平台不支援VGA介面了,只能數位輸出,LVDS轉換也被移除了。




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標明的上市時間是2013年Q2季


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晶片組部分


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低功耗平台晶片組

IVB-EP篇
  IVB-EP架構的講解人是Intel中國區嵌入式及消費電子事業部的產品經理劉峰,內容主要是現有及新一代至強伺服器的特點。
  注意一下,下一代EP架構產品的命名與現有產品編號相同,只不過加了尾碼V2以示區別

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下一代至強使用V2規則命名





  這裡以E5-2600 V2為例,它使用的是IVB-EP架構,最多12核24執行緒,支援四通道記憶體模式,記憶體頻率也提升至1866MHz,不過這裡沒有提及實際的記憶體規格,DDR3是肯定支援的,稍早還有消息指出IVB-EP架構就開始支援DDR4記憶體,但是桌面版IVB-E不會在2014年前支援DDR4。
  L3快取從最多20MB提升到30MB,PCI-E通道總數依然是40條,PCI-E 3.0規範。
  由於使用了22nm 3D晶體管工藝,IVB-EP的功耗有了大幅下降,限制功耗從上一代的15W降低到10.5W,低電壓版本LV SKU則從12W降低到7.5W,不過TDP功耗沒變,普通版依然是130W,低電壓版是70W。

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功耗變化



 
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