【儲存系統】能源效率、儲存密度更高，UCLA開發節能電腦儲存器

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LEOZ

名望的勇者

電梯直達

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發表於 13-1-5 05:53:53 |只看該作者 |降序瀏覽大字中字小字正體化简体化

　　通過使用電壓而不是流動的電流，UCLA(加州大學洛杉磯分校)Henry Samueli工程和應用科學學院的研究人員對電腦的MRAM(磁性隨機儲存器)作出了重大的改進。
　　UCLA的研究小組將這種改進後的MRAM稱為MeRAM(磁電隨機儲存器)，MeRAM很可能會用在將來所有電子應用的記憶體晶片中，包括智慧型手機、平板電腦、PC和微處理器，它還可以用於儲存數據，比如用在電腦和大型數據中心的SSD固態硬碟中。

　　相比於現有的技術，MeRAM的主要優勢是它將高密度、高速讀寫以及不易失性與低能耗結合起來，它有點類似於硬碟和NAND，但MeRAM的速度更快。
　　磁性儲存器主要基於STT(自旋轉移矩)技術，STT利用電流移動電子將數據寫入記憶體。雖然在很多方面STT比其它儲存技術更有優勢，但它基於電流的寫入機制需要一定的電量，導致它在寫入數據的時候會產生熱量。而且它的儲存能力還受到數據大小的限制。
　　UCLA的研究小組已經用電壓取代STT電流將數據寫入儲存，利用電勢差進行磁位的轉換，將數據寫入儲存器，這消除了通過導線移動大量電子的必要，減少了熱量的產生，能源效率可以提高10倍到1000倍，而且儲存密度也可以提高4倍，由於相同的物理區域可以儲存更多的訊息，每比特的成本也降低很多。
　　這個研究小組的主要負責人是UCLA的Raytheon電子工程學教授Kang L.Wang，另外還有首席作者Juan G.Alzate和UCLA-DARPA項目的項目經理Pedram Khalili。
　　這個研究成果最初是在今年12月12日的IEEE國際電子元件會議上發表的。

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