【儲存系統】採用HKMG技術打造，美光表示20nm工藝快閃記憶體壽命有保證

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LEOZ

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發表於 12-2-2 11:51:16 |只看該作者 |降序瀏覽大字中字小字正體化简体化

　　由於工藝從34nm進步到25nm後，NAND快閃記憶體晶片的寫入壽命有所下降，因此在美光和英特爾開始使用20nm工藝打造新產品的時候，業界普遍擔心新工藝會再一次讓快閃記憶體晶片壽命下降。不過美光則明確表示，20nm製程工藝應用了HKMG技術，對應產品的壽命與25nm工藝產品處於同一水準。

　　據美光首席財政官Ronald Foster稱，得益於用在CPU與GPU上的HKMG技術，20nm工藝快閃記憶體晶片在長期讀寫的測試中一直正常，使用壽命基本與現有25nm產品維持一致，因此無論是廠商還是使用者都完全不需要擔心產品壽命問題。
　　稍早美光和英特爾聯手合資的快閃記憶體廠商IMFT推出了第二款採用20nm工藝打造的128Gb(即16GB)容量NAND快閃記憶體晶片。該產品採用了最新的ONFi 3.0標準，Page size由常用的4KB提升到16KB，預計在2013年全面進駐固態硬碟產品。
　　消息來源：[Xbit Labs]

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