GF將在14nm節點啟用3D晶體管工藝

[複製連結] 檢視: 571|回覆: 0

CANCERS

名望的勇者

電梯直達

1^#

發表於 12-3-26 15:07:49 |只看該作者 |降序瀏覽大字中字小字正體化简体化

　　Intel的3D晶體管工藝即將開始量產，那麼其他廠商何時才能跟進呢？在日前舉行的2012年通用平台技術論壇會議上，包括IBM、三星以及GF在內的通用平台聯盟成員宣佈將在14nm工藝節點開始啟用FinFET(薄膜晶體管)工藝，也就是3D晶體管，大約在2014年到2015年之間。

　　三星晶圓事業部副總Anna Hunte在演講中感謝目前的二維晶體管工藝陪伴他們渡過了大部分專業生活，同時她宣佈聯盟成員將轉換到FinFET晶體管工藝，也就是Intel馬上量產的3D晶體管工藝。

　　他們將在14nm工藝階段為客戶提供FinFET產品，同時還會有全耗盡(Fully Depleted)型SOI工藝，FD-SOI工藝的特點是晶體管密度大增，而功耗更低。
　　目前應用的部分耗盡型(partially-depleted)SOI工藝的問題是，隨着晶體管的減小，進一步為SOI絶緣層施加壓力會降低收益，因為目前的PD-SOI已經對晶體管有一定的壓力了，再度施加壓力會破壞晶體管。這就是AMD之前聲稱將在28nm以及半代20nm工藝節點放棄SOI工藝改用bulk體積矽工藝的原因。
　　在未來，FinFET工藝階段還會有晶片堆疊(chip stacking)技術輔助，如果後者進展順利，很可能會重塑整個晶片製造體系。

轉播0 分享0 收藏0

回覆使用道具檢舉

最後更新返回清單

帳號		自動登入	取回密碼
密碼			註冊