在可移動設備市場佔有率不斷增長的情況下，對於快閃記憶體晶片的需求也在進一步擴大，三星和SK海力士都開始使用新工藝量產低功耗的快閃記憶體晶片，美光今天也宣佈使用30nm工藝量產DDR3L-RS標準的DRAM，主要針對超輕薄筆電、平板電腦等輕薄的移動計算設備。
DDR3L-RS標準之前被稱之為DDR3Lm，通過降低自我刷新耗電量(IDD6)來降低整體功耗，電壓為標準的1.35V，同時能提供與標準DDR3相同的性能、品質和可靠性，運行頻率有667/800MHz兩種。
美光的首批DDR3L-RS記憶體晶片採用30nm工藝製造，FBGA封裝，容量暫時有2Gb(128Mb×16/256Mb×8)和4Gb(256Mb×16/512Mb×8/1Gb×4)兩種規格，已經通過Intel Ivy Bridge新平台的認證。
除了上面兩種規格，美光還在試產更大容量的8Gb DDR3L-RS，運行頻率800MHz，預計今年12月份量產。而下一代DDR4記憶體規格的新型DDR4-RS則可能在2013年年初推出。
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發表於 12-9-27 10:41:40
