三星前段時間發布了新一代主控和NAND快閃記憶體的840系列SSD評測打消大家的懷疑念頭。</P> 首先是SLC、MLC以及TLC原理上的不同，這個問題我們也多次做過解釋，E文不太好的同學可以不用看anandtech的解釋了，我們的Intel的335系列SSD得到的1000次P/E壽命很接近，但是後者更可能是韌體bug，實際上並不一樣。
三星不像Intel那樣告訴我們NAND快閃記憶體的寫入次數，而沒有NAND寫入次數就沒法得出NAND的寫入數據總量，因為還有寫入放大的因素存在。不過他們還是找到了一個變通方法來計算寫入數據量。
首先向SSD寫入QD=1隊列的不可壓縮128KB檔案，記錄每次寫入的持續時間以及WLC(Wear Leveling Count，磨損測量指數，類似於MWI媒體磨損指數)。如果得到了平均的寫入速度和寫入時間，那麼就可以用來計算寫入的數據量了。因為連續的大區塊數據的寫入放大約等於1，所以寫入空碟的時候是沒有碎片的。
下面就是記錄的結果：
寫入92623GB的數據量耗盡了34 WLC
他們預測的1000次P/E壽命看起來是準確的，因為WLC指數反映的是已用盡的P/E次數，而且二者是成反比的，P/E次數是1000的話，WLC就應該是0。
另外，如果三星的WLC指數跟Intel的MWI指數是一樣的定義，那麼即便WLC降到了0也不意味着SSD要廢了，至少還有20-30%的可用壽命，至少Intel的MWI指數是這樣定義的，該指數降到0只是表示你需要考慮一下數據備份的重要性了。
總結：
1000次P/E循環壽命看起來並不多，但是依然夠用。假如客戶端每天的平均寫入量大約是10GB，而寫入放大保持在一個合理水準，那麼計算得出的TLC寫入數據壽命如下：
256GB型號的TLC快閃記憶體可用23.4年，128GB型號也有11.7年
當然，如果你每天的寫入量是20GB，那麼可用時間還會減半，不過依然有數年的使用壽命，就算每天寫入30GB，256GB型號依然有足夠的可用時壽命。部分重度隨機寫入的情況下寫入放大率也有可能達到10倍以上，不過那主要是伺服器應用場合，日常使用中很少出現這個情況。
最後還要知道，所有的SMART數值都是比較保守的，就算WLC或者MWI指數降低到0，這也不代表你的SSD要廢了，更有代表性的是XS論壇的一個測試，250GB的830已經寫入了5000TB的數據了還沒有壞掉，國內也有人做過這樣的測試。WLC真正降到0需要總計828TB的數據量，這已經是SMART數值的5倍之多了。
雖然不是所有的SSD都這麼耐用，但是像Intel、美光及三星這樣的NAND快閃記憶體大廠生產的SSD產品似乎要比SMART值顯示的壽命更耐用，因為他們更可能挑選最高品質的NAND快閃記憶體來製造SSD。
總而言之，Anandtech的測試表明了即便是TLC快閃記憶體的SSD，其使用壽命也不足為慮，遠遠超過人們的想象，不過他們也要知道，測試的數據比較理想，每個人的使用狀況是不一樣的。
最最重要的是人們對TLC快閃記憶體的期待是容量更高，價格更低，用更大的容量來彌補P/E次數的降低，而三星的840相比目前的MLC快閃記憶體SSD並沒有什麼價格上的優勢，在可以選擇的情況下有多少人願意選擇TLC快閃記憶體的840呢？上一代的830無論性能還是性價比都要好於840，為何要選擇TLC快閃記憶體呢？所以840最大的問題並不是可靠性，而是性價比，還是先讓三星解決了這個問題再說吧。 | 
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發表於 12-11-30 09:58:13