鐵之狂傲

 取回密碼
 註冊
搜尋

切換到指定樓層
1#
  據國外媒體報導,三星近日已研製出基於50nm工藝的1Gb DRAM記憶體晶片,該記憶體晶片能夠應用於智慧型手機和平板等移動設備。

  該記憶體晶片的傳輸速度達到12.8GB/s,比目前移動晶片的速度提高了8倍。三星表示,這種新的移動DRAM記憶體晶片的耗電量比以前的晶片減少了約87%。

  在2013年之前,三星計劃研製出基於20nm工藝的4Gb移動記憶體晶片。相關數據顯示,2014年,三星DRAM記憶體晶片的出貨量比例將從2010年的11.1%增長到16.5%。


  更多相關訊息,請瀏覽三星官方網站。
 
轉播0 分享0 收藏0

回覆 使用道具 檢舉

你需要登入後才可以回覆 登入 | 註冊

存檔|手機版|聯絡我們|新聞提供|鐵之狂傲

GMT+8, 25-3-16 00:43 , Processed in 0.017746 second(s), 17 queries , Gzip On.

回頂部