克服種種困難，爾必達首次為DRAM工藝引入HKMG技術

LEOZ

　　日前記憶體晶片廠商爾必達（Elpida）正式宣佈，他們將為40nm等級的DRAM製造工藝引入高K金屬柵極（High-K Metal Gate，即HKMG）技術，用於開發2Gb的LPDDR2移動平台記憶體顆粒。
　　高K金屬柵極技術最早出現在英特爾的45nm工藝上，隨後被GlobalFoundries、台積電等廠商引入並應用在各自的產品上。不過由於高K金屬柵極形成後熱處理溫度高較高，加上DRAM記憶體晶片結構的限制，因此該技術一直無法引入至DRAM晶片的生產工藝當中。
　　在經過爾必達研究團隊的努力後，他們成功降低了高K金屬柵極的熱處理溫度，並克服了DRAM晶片結構限制的難題，最終成為業界首家將高K金屬柵極技術引入DRAM晶片的廠商。據爾必達表示，新技術的引入將令產品的性能有較大提升，同時待機功耗亦得以大幅下降。
　　目前爾必達已經在40nm等級的工藝中應用高K金屬柵極技術，未來還將對該技術進行評估和改進，爭取儘快應用在30nm和25nm工藝上。