更高速更長命，SK海力士與IBM聯手打造PCRAM

LEOZ

　　近日SK海力士和IBM共同宣佈，他們已經簽署了相關協議，日後將聯手開發相變隨機儲存器，並有SK海力士進行對應產品的生產和銷售。
　　相變隨機儲存器即Phase Change Random Access Memory(以下簡稱PCRAM)，是一種通過相位變化儲存數據的RAM晶片，其同時擁有NAND和DRAM晶片的優點，讀寫速度是NAND晶片的100倍，壽命更是NAND晶片的1000倍，而且在斷電的情況下也不會丟失數據，功耗則與普通DRAM晶片相仿，是未來比較理想的數據儲存晶片。在去年6月底，IBM曾經宣佈他們在多位相變儲存上獲得了重大突破。

　　據消息指出，目前PCRAM的定位是介乎於DRAM和NAND之間的，畢竟在速度上仍然不及DRAM，而儲存密度則比不上NAND。因此PCRAM在推出之初很可能會用作於DRAM和NAND晶片之間的高速快取。
　　其實早在2007年，SK海力士(當時仍然是海力士)成功開發出40nm工藝1Gb容量的PCRAM晶片，不過由於成本和市場接受度等眾多原因，PCRAM未能進入量產，而是繼續進行研究，尋找更多突破口。現在SK海力士和IBM合作後，前者將獲得後者在PCRAM領域的技術支援，未來將會有更多大容量、高速度的相變儲存晶片誕生，全面取代DRAM和NAND就不再是空口說白話了。