IDF 2012：Haswell將使用不同於Ivy Bridge的晶體管工藝

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　　為期四天的秋季IDF會議接近尾聲，Haswell處理器是其中的最大看點，Intel已經詳細介紹了Haswell的7.5W超低功耗、架構細節，甚至表示下一代14nm工藝進展非常順利，Broadwell處理器已經流片成功，今天還是在談Haswell的工藝問題，Intel稱它將使用與Ivy Bridge不同的製程工藝。
　　先別誤會，Haswell的工藝節點還屬於22nm 3D工藝，這一點與Ivy Bridge沒有變化，但是使用的晶體管將是不一樣的。
　　Intel公司的CPU架構設計師Bret Toll以及Robert Chappe、首席工程師Ronak Singhal一起談到了Haswell的快取設計，包括提升快取容量大小、提高快取頻寬、改善分支預測，並且在Haswell架構中設計了兩組FMA(fused multiply-add)單元，新增了用於位元組儲存次序轉換的MOVBE指令，三位專家同時也強調了架構設計以及工藝轉換的重要性。
　　Haswell屬於架構升級的Tock步驟，在宏觀層次上它會使用Ivy Bridge相同的工藝，但在微觀層次上Intel表示Haswell的工藝發生了很多變化，他們稱“我們與晶圓製造部門的同事一起做了大量工作以確保更低的功耗，現在我們可以同時在高性能與低功耗工藝上調節。必須要說的是，不要認為(Haswell)的工藝與Ivy Bridge是一樣的，工藝是在不斷改進的，特別是在我們設計不同的產品的情況下。”
　　INQ進一步詢問Haswell的工藝與Ivy Bridge到底有什麼不同時，Robert Chappe回應道：“我們想保持在Ivy Bridge工藝上的一致性，實際到更低的工藝節點上，我們在同樣的核心面積和功耗以及同樣多的晶體管數量下有更高的晶體管分配自由度。舉例來說，消耗更低的晶體管的情況下我們還可以增加一組FMA單元。
　　從IDF會議上的表現了看，Intel公司在處理器架構上做了相當多努力，很多設計都與22nm工藝息息相關。從Intel的介紹上看，在功能更多而物理晶體管大小相同的情況下，Haswell可能核心面積更大，晶體管數量更多。