IBM新工藝將碳奈米管產量提高兩個數量級

CANCERS

　　雖然TSMC和Intel都在展望未來的半導體工藝，將使用450mm晶圓和EUV(極紫外光)光刻工藝，製程也會深入到單個nm量級，但是目前的矽基半導體工藝總會有盡頭，未來的整合電路發展方向不一，但是比較有商業希望的有兩種，一種是石墨烯，三星以及IBM都在這方面有所建樹。 　　另外一種就是碳奈米管了，具備能耗低，速度快的優勢，誕生20多年來這種晶體管已經多次被報導稱有突破性進展，但是距離商業化應用依然很遠，其中最大的問題之一就是無法大規模量產結構統一的碳奈米管，結構不一致的話碳奈米管會對電路產生負面影響。

　　這個問題還是交給人類的希望——IBM來解決吧，他們使用一種例子交換技術開發出了高密度碳奈米管工藝，其密度可達1*109 cm−2，比現有技術提高了兩個數量級，而且該技術可以利用現有的半導體製造工藝來生產，將會節省大筆投資。
　　目前這一工藝製造的晶片已經在10000台設備上做了有關性能、產量以及半導體奈米純度的測試。
　　該論文在7月10日已經提交到《自然》雜誌，審核之後已於昨天發布在《自然》官方網站上，有興趣的話付費22美元就可以瀏覽全文。