UMC宣佈將開發20nm後端相容的14nm FinFET工藝

CANCERS

　　TSMC台積電和UMC聯電一度是並駕齊驅的代工廠雙雄，不過TSMC這幾年的發展速度非常快，業績已經遠遠超過了UMC，工藝上也領先後者至少一個節點進度。日前UMC宣佈他們也將在14nm工藝節點使用20nm工藝相容後端工序以加快普及速度。 　　之所以說也因為之前GlobalFoundries已經做過同樣的宣佈，他們將在2014年啟動的14nm-XM工藝使用的是14nm FinFET晶體管，但是後端工藝(back-end-of-line,簡稱BEOL)則是20nm相容的，UMC的作法與之相似。

　　UMC CEO孫世偉在財務分析會議上宣佈了這一消息，他表示：基於IBM的FinFET工藝授權，UMC決定在20nm工藝基礎上發展更先進的14nm工藝，通過雙重光刻技術(double patterning lithography)它能提供最最佳化的低功耗、高性能解決方案。
　　雖然還不知道UMC公佈的實際細節，但是他們的FinFET工藝都是授權自IBM公司，如今所宣佈的內容也是一樣，因此實際作法與GF應該是相似的，都是在20nm後端程序上使用14nm刻度的FinFET晶體管而已。
　　對UMC來說最大的問題是速度，GF將在2014年啟用14nm-XM工藝(如果不出意外的話)，而UMC的時間進度未知，但是考慮到他們在2014年才會上馬28nm HKMG工藝，那麼間隔了一個20nm工藝階段的14nm FinFET工藝的應用時間實在不可預知。

　　除了20nm及14nm工藝研發之外，UMC未來也會配合客戶做一些特別的工藝，比如HV、嵌入式非易失性記憶體、BSI COMS背照式攝影機、2.5寸中介晶片之類的。