IEDM會議：摩爾定律將在14nm節點遭遇嚴重挑戰

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　　作為半導體產業的黃金法則，摩爾定律已被多次挑戰，但是技術進步也使得這一法則繼續前進，不過正在召開的IEDM國際電子設備會議上與會專家稱在未來的14nm工藝節點上很有可能發生更大的變化，摩爾定律再次遇到挑戰。 　　比利時微電子研究中心IMEC總裁范登霍夫(Luc van den Hove)對EETimes表示，晶片製造商現在就需要為14nm節點選擇合適的印刷工藝，不過在2014年EUV(extreme ultraviolet極紫外光)印刷工藝完成之前這幾乎是不可能的。

　　每代工藝升級帶來的性能提升通常有30%，而14nm工藝帶來的性能提升可能只有典型值的一半，而使用現有193nm紫外光光刻的14nm工藝的成本相比目前的28nm提升足有90%，EUV工藝會將這一成本提升降低到60%。
　　EUV之所以能降低成本是因為它可以把目前工藝需要的三重曝光(triple patterning )減少到一重曝光，IMEC的另一位專家Kurt Ronse表示三重曝光太複雜了，設計者要麼放寬設計要求，要麼導致晶片不能量產。這也是14nm工藝帶來的性能提升只有15-20%，低於常規的工藝升級應有的30%性能提升。

　　霍夫在演講中表示現有的設計規則在14nm節點很可能被放寬，他相信現在就應該選定14nm工藝應該採用的印刷工藝，但是EUV技術目前並沒有準備好接受這個挑戰。
　　他還表示為解決EUV問題付出的努力是巨大的，它雖然不是一個基礎性的難題，但是工程上的困難依然需要花費很多時間。
　　Intel稍早表示即使在10nm或者更低的工藝階段他們也不需要EUV工藝就能解決這個難題，他們可以使用四重曝光工藝。Intel被認為能比其他廠商更容易接受成本提高的代價，因為他們的處理器售價也很高。

　　以現有的技術EUV工藝每個小時也只能處理不到20片晶圓，而晶片廠商需要的產能是每小時至少處理100片晶圓。