DDR4記憶體標準明年出爐，工作電壓與頻率基本確定

LEOZ

　　日前JEDEC固態技術協會宣佈DDR4記憶體標准將於2012年年中正式發布，同時他們還公佈了新記憶體標準的部分關鍵屬性，例如記憶體的工作電壓和頻率等。
　　JEDEC稱，DDR4記憶體在架構、頻率和工作電壓上都進行了重新定義，目的是為了簡化新標準，讓其可以更容易地部署和推廣。據顯示，DDR4記憶體的預設頻率將從1600MHz起跳，最高可達3200MHz，工作電壓則定為1.2V，同時還會進一步降低VDD電壓並保證I/O電壓穩定。雖然頻率比DDR3記憶體要高出不少，但由於工作電壓的降低，DDR4記憶體的功耗仍然比DDR3略低。
　　DDR4記憶體的其它特性：
- 擁有x4/x8/x16三種數據頻寬選擇；
- 採用全新的時鐘與閘門差分信號；
- DQ匯流排負責控制VDDQ終端，在VDD電壓衰減時亦能保持硬體穩定；
- 改進ODT協議並加入全新的Park Mode，無需ODT針腳就可以實現常規終端和動態寫入終端功能；
- 突髮長度8，突發突變4；
- 新增數據屏蔽功能；
- 全新的DBI技術，可有效降低硬體功耗並提升數據的完整性；
- 改進數據匯流排錯誤校驗技術；
- 加入全新的指令/數據匯流排CA對等技術；
- 新增支援DLL關閉模式。
　　目前，三星和海力士已經成功造出DDR4記憶體的測試用產品，不過距離記憶體的商用化仍然有一大段距離，畢竟目前仍然未有支援DDR4記憶體的主機板和處理器誕生。按照目前的狀況來看，DDR4記憶體最快也要到2015年方能真正普及。

三星的DDR4記憶體