高效率低發熱，映眾將為旗下顯示卡搭載DirectFET封裝Mos管

ARIESS

　　日前NVIDIA顯示卡廠商映眾（Inno3D）曝光了旗下一款新的GeForce GTX 560 Ti產品，這款顯示卡最大的特色是，其搭配的是DirectFET封裝的MosFET，而非傳統封裝的產品。

　　據稱，DirectFET封裝的MosFET內部結構有異於傳統產品。DirectFET封裝的MosFET的漏極通過兩邊的焊碟和PCB連接在一起，和PCB有很大的接觸面積，有利於電流的傳導。同時由於DirectFET外殼全部採用銅片，沒有傳統的塑料外殼，除了通過底部和PCB進行散熱外，頂部亦可通過氣流進行散熱，實現雙面冷卻。

　　另外，DirectFET封裝採用直接晶片貼上，沒有線壓焊或者引線框，大大降低了封裝感抗和封裝阻抗。因此，其封裝阻抗比傳統產品減少了90%，因為高阻抗而引起的發熱大問題亦得到瞭解決。映眾稱，採用新MosFET的供電電路轉換效率可達85%以上，因此更多的電能得以有效利用，而不是轉變為無用的熱能。

　　目前，由於需要設計新的PCB，這款採用新MosFET的顯示卡仍然處於工程樣品階段。映眾表示將在隨後的新顯示卡產品中引入DirectFET封裝的MosFET，請大家拭目以待。