同時擁有DRAM和NAND的優點，松下預計明年量產ReRAM

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　　DRAM的讀取速度快，但是斷電后里面的數據將全部丟失；NAND快閃記憶體可以在斷電後保存數據，但是讀寫速度跟DRAM相比就完全不是對手了。那麼，有沒有可以結合兩者優點於一身的儲存晶片呢？答案是有的，那就是ReRAM。

　　簡單來說，ReRAM就是利用憶阻器原理來打造的電阻式記憶體，其既擁有DRAM水準的讀寫速度，又可以像NAND快閃記憶體那樣在斷電後也能保存數據，可以說是集兩者有點於一身的理想產品。
　　現在松下宣佈，他們將在2013年開始量產ReRAM產品。首發的ReRAM將使用老舊的0.18μm製程CMOS工藝打造，容量為128KB左右，因此它們只能在簡單的設備中使用，例如火警報警系統等需要高響應速度的產品，詳細訊息可瀏覽松下官方頁面。
　　目前松下已經開始了相關樣品的評估工作，當然他們並不滿足於現在研發的小容量ReRAM，而是希望能將ReRAM的容量提升到NAND快閃記憶體的水準，並引入到智慧型手機等移動設備中，全面取代NAND快閃記憶體和DRAM記憶體。屆時，這些移動設備將擁有超高的讀寫速度，開機、關機、啟動程序等都是一瞬間的事情。