成本與性能齊降，20nm快閃記憶體SSD性能搶先曝光

LEOZ

　　雖說Intel 20nm NAND快閃記憶體到Q3才開始量產，但是目前仍有小量的20nm NAND快閃記憶體試產出來，像在Intel NAND上極有資源優勢的SuperSSpeed，已經拿到了20nm的NAND快閃記憶體，並搭配SF2281主控開始生產新一代製程的SSD了。

Intel NAND各製程下的Die比較

　　從目前的資料看，20nm製程的L84顆粒Page會有8KB(TSOP封裝)和16KB(BGA封裝)兩種，由於密度的上升，每個Page的Spare Byte(用來存放ECC簽名)也明顯增加，比如說25nm時，一個8KB的Page需要有448bytes的Spare Area，當製程進步到20nm後，Spare Area卻需要744bytes，每1KB數據需要更多的ECC檢驗數據。對於SandForce主控來說，RAISE冗餘技術顯得就更加重要了。

　　還是來看看20nm NAND的性能吧，測試平台採用的是微星Z77主機板，Windows 7 SP1系統：

HD Tune Pro下的Info訊息(F3表示20nm製程)

　　先注意一下HD Tune Pro中的Info，Serial這一項大多數情況下會顯示該SSD所有快閃記憶體的型號(一般為編號後幾位)，對Intel快閃記憶體比較熟悉的同學應該會記得目前主流的編號後幾位多是ACME3之類的，其中E表示製程，也就是25nm，而20nm的編號則是F，最後的數位可以理解為步進什麼的，這次F3顆粒的實際編號為JS29F64G08ACMF3。

CDM的成績

AS SSD成績

PCMark 7成績

　　從現有的測試成績看，20nm NAND快閃記憶體的SSD會比25nm下快閃記憶體的性能要低10%左右，尤其是4K隨機性能下降得比較多，不過目前還是試驗階段，考慮到韌體還會繼續針對20nm進行最佳化，性能應該還會有所提升。

　　據SuperSSpeed透露，20nm快閃記憶體的成本會下降5-10%，反正目前SSD的性能已經足夠快了，價格還是主要瓶頸，期待一下，到了年底，20nm製程快閃記憶體SSD的大量上市，120GB的SSD會下降到500元嗎？