IDF：14nm工藝進展順利，Broadwell早已成功流片

CANCERS

　　Haswell是本次IDF會議的明星，Intel已經展示了它在節能上的進步，運行Heaven程序最低只有7.5W，但是它不是唯一的看點，繼任者Broadwell也準備好了，數月前就已流片成功。 　　Fudzilla、Softepedia及INQ多方來源表示Intel已經確認14nm製程的Broadwell處理器稍早流片成功，目前已經可以工作，按照規劃14nm應該在2014年才會登場，但是Intel期望2013年底14nm工藝就可以派上用場。

Intel工藝路線圖

　　14nm及SOC工藝節點代號P1272和P1273，Intel處理器架構&整合部門的負責人Mark Bohr稱首批升級14nm工藝的晶圓廠將是俄勒岡州的D1X、亞利桑那州的Fab42以及愛爾蘭的Fab14這三家，其餘工廠升級情況未知，但是Bohr表示14nm工藝發布之後一年內Intel就會把六座晶圓廠從22nm升級到14nm。
　　談到目前22nm工藝時，Mark Bohr稱在過去的一年中22nm 3D晶體管工藝的缺陷密度(defect density)逐步下降，目前用於Ivy Bridge處理器的工藝缺陷密度已經低於32nm工藝的SNB處理器。(難道3770K高燒不退真有可能是工藝不成熟的問題？)
　　目前看來Intel在22nm升級14nm工藝的過程中進展順利，但是14nm到10nm工藝又是一次革命，風險較大，現在還處在研究中，Intel的路線圖上只表示會在2015年之後、最快2016年才有應用，但是一旦遇到挫折，進度肯定會延後。
　　Intel的14nm將用於Haswell之後的下一代處理器Skylake(產品家族代號，Broadwell是處理器架構)，Chipzilla預期Haswell將在2013年上半年發布，而14nm工藝很難在2013年底進入商品化階段，Skylake架構很可能在2014年Q2季發布。