後NAND時代，2013年PCM儲存技術上位

LEOZ

　　PCM相變儲存技術被視為NAND技術的繼任者，美光之前還宣稱已經NAND快閃記憶體工藝已經向20nm等級過渡，未來15nm或更高的工藝下NAND的發展就會面臨瓶頸，速度會變慢，而ECC糾錯則會更加複雜。從目前的MLC NAND或許會低於1000，這都是讓人頭疼的問題。</P>

PCM相變儲存技術

　　因此我們很快就會面臨後NAND快閃記憶體時代，新一代快閃記憶體技術的儲存密度會更高，讀寫速度更快，甚至可以達到RAM等級，按bit定址而非目前的block定址，還會擁有更高的可靠性，實現這些要求是對快閃記憶體業界的一次大考。
　　PCM快閃記憶體是一個潛在的可能，三星、美光、IBM、SK Hynix等公司都在積極開發PCM儲存技術，雖然他們還在研發其他類型的非易失性快閃記憶體技術，但是儲存專家EMC還是傾向於PCM技術。
　　EMC高級主管扎西德·侯賽因對2013年的快閃記憶體市場做了分析預測，首先他表示快閃記憶體技術已經是目前所有儲存體系的基礎，幾乎無所不在，這一點是沒有疑問的。第二，2013年我們會看到PCM快閃記憶體帶來的騷動，儲存業界會加大相關產品的供應，這將為現有儲存體繫帶來低延遲、高速度的新選擇，PCM快閃記憶體的速度甚至可以接近RAM。
　　EMC目前正在跟美光合作開發自有的VFCache PCI卡以及代號Thunder Box的VFCache卡，由於美光是PCM技術的支援者，或許EMC的專家此番說法是得到了美光的某些內幕消息。
　　EMC看起來非常期待PCM儲存技術，侯賽因表示明年的PCM業界就會迎來更多投資。