Intel展出45奈米處理器Penryn

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Intel展出45奈米處理器Penryn  

文/李怡偉 (編譯) 2007-01-29


除展出Penryn處理器之外，英特爾表示目前在開發中的45奈米產品總共有15款，其快取記憶體會有12MB，另外也會再加入大約50個新的SSE4指令集。

Intel在週六（1/27）展出下一代45奈米製程的處理器Penryn系列。

Intel在簡介新的45奈米製程技術的同時，也展出下一代代號為Penryn的處理器。Penryn基本上可以說是Core 2 Duo晶片的進化版，加上可提升多媒體運算效能的SSE4等其他新技術。

英特爾所展出的是可實際運轉的45奈米製程Penryn樣品，其第一批量產產品將鎖定五大電腦市場，包含了Windows Vista、Mac OS X、Windows XP及Linux 等系統，並預計在今年下半年可開始量產，當明年45奈米技術成熟後，Intel將再推出代號Nehalem的晶片。

英特爾表示，目前在開發中的45奈米產品總共有15款，含蓋了桌上型和筆記型電腦，工作站，以及企業級等產品類別。45奈米製程所生產的雙核產品將有4億多個電晶體，而四核處理器將有8億多個電晶體。除了將效能更高且更省電之外，核心速度也會提高，快取記憶體會有12MB。另外也會再加入大約50個新的Intel SSE4指令集，藉以提高多媒體及高效能運算應用等功能與效能。新技術延長莫爾定律
Intel表示，這將是業界首創以高介電值材料（high-k dielectrics）及金屬柵電晶體（metal gates transistors）所生產的晶片。

Intel宣稱，透過這些技術，將可比起現在的矽氧化（silicon dioxide）技術減少電晶體漏電（transistor leakage），進而提升整體效能。Intel於去年首度透露關於45奈米製程的新技術，並宣稱將成為首批採用這項新技術的廠商，不過當時Intel並未明確45奈米製程將採用high-k或矽氧化技術，在近日的展出之後，Intel確定轉向將high-k絕緣體應用於電晶體閘道絕緣體。

Intel創辦人之一Gordon Moore在聲明中指出，high-k與金屬物質的應用，象徵著電晶體技術從1960年代的polysilicon gate MOS transistors技術後的一大改變。Intel資深院士Mark Bohr表示，當越來越多電晶體塞入同一個矽晶片後，整個產業需要持續研究改善耗損的方法，而Intel將應用high-k與金屬柵電極提供更快、更有能源效率的多核心晶片，並將摩爾定律延伸至下一個10年。

根據美聯社報導，IBM也正進行類似電晶體材料技術的研發，不過IBM並未公開相關細節。AMD目前並未透露45奈米技術細節，不過預計在2008年中採用45奈米製程生產晶片。（編譯/李怡偉）

資料來源:http://www.ithome.com.tw/itadm/article.php?c=41735

[ 本文最後由 jodenh 於 07-1-29 09:16 PM 編輯 ]