體積最小密度最大，東芝19nm工藝NAND快閃記憶體晶片誕生

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　　不久前，東芝宣佈推出24nm工藝的NAND快閃記憶體晶片。而半個月後的今天，東芝再次宣佈，正式推出19nm工藝的NAND快閃記憶體晶片，單晶片容量達8GB，是目前密度最高的8GB NAND快閃記憶體晶片。

24nm工藝已成過去?

　　根據東芝方面表示，該款19nm工藝的NAND快閃記憶體晶片採用了2位元（bit-per-cell）結構，容量達64Gb（即8GB），是目前體積最小、密度最高的8GB NAND快閃記憶體晶片。憑藉這款晶片，智能手機、平板電腦等攜帶型設備即可輕鬆達到128GB的儲存容量。
　　另外，東芝還表示該款19nm工藝的NAND快閃記憶體晶片支持DDR 2.0技術，稍後還會推出3位元結構的產品，更多詳情可瀏覽東芝官方網站。