重奪工藝王座，英特爾與美光推出20nm製程NAND快閃記憶體晶片

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　　日前，英特爾（Intel）與美光（Micron）公司共同宣佈推出20nm製程的NAND快閃記憶體晶片，重新奪回了NAND快閃記憶體製作工藝的王座。  

　　據稱，目前雙方已經成功研製20nm製程的8GB NAND MLC快閃記憶體晶片，晶片面積為118mm²，尺寸可比同容量的25nm製程產品減少約三分之一，性能與壽命方面則基本保持一致。

　　另外英特爾與美光方面表示，這款新產品目前還處於試樣階段，預計在今年下半年由兩者合資的IMFT公司進行量產，主要針對智慧型手機、平板電腦和固態硬碟等領域。屆時還將推出同為20nm製程的16GB NAND快閃記憶體晶片，而最終的目標是將晶片容量提升至128GB。