滿足高速設備需求，三星Toggle DDR 2.0介面快閃記憶體晶片生產

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　　日前，三星電子正式宣佈，全球首款採用Toggle DDR 2.0高速介面的MLC NAND快閃記憶體晶片將正式生產。

　　首批三星新快閃記憶體晶片將採用20nm等級的製程工藝，容量為64Gb（8GB）。據稱，Toggle DDR 2.0介面可以讓快閃記憶體晶片的讀寫頻寬提升至400Mbps，DDR 1.0介面標準僅有133Mbps，而SDR NAND快閃記憶體則更低為40Mbps。
　　三星表示，Toggle DDR 2.0介面產品主要應用於高級的智慧型手機、平板電腦和固態硬碟等設備，憑藉其較高的讀寫頻寬可輕鬆滿足SATA 6Gbps和USB 3.0等高速應用的需求。