儲存技術的巨大進步，IBM多位PCM相變儲存晶片開發成功

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　　近日IBM的研究團隊自豪地宣佈，他們已經成功地攻克了PCM相變儲存（Phase Change Memory）的多位封裝難題，為解決PCM相變儲存提升容量、降低成本指出了一條明路。
　　實際上PCM相變儲存已經存在多年，不過一直以來有一個重大難題制約着它的發展，就是每一個PCM相變儲存單元只能儲存1bit的數據，即1bpc（bit-per-cell）。這對PCM相變儲存提升容量、降低成本是一個巨大的阻力。
　　而最近IBM的研究團隊成功研發了多位儲存的PCM晶片，雖然採用的是90nm的CMOS工藝製造，不過這枚PCM晶片擁有者遠高於普通NAND晶片的讀寫速度和循環壽命，例如寫入延遲僅10微秒，寫入壽命達1000萬次等，這些都是NAND晶片“望塵莫及”的。
　　不過，IBM的研究團隊並沒有透露該PCM晶片的更多訊息，例如每個儲存單元可以儲存多少數據等，而且從目前來看，多位PCM相變儲存晶片距離量產還有很長的距離。