合力開發下一代儲存技術，東芝與海力士聯手發展MRAM技術

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　　儘管目前仍是DRAM時代，不過東芝（Toshiba）和海力士（Hynix）已經開始着手為下一代的儲存晶片進行準備了。今天兩者聯合宣佈，他們將集合各自的研究人員並展開合作，共同研發MRAM技術的產品。
　　MRAM的全稱是自旋扭矩轉換磁性抵抗型隨機儲存器（Spin-Transfer Torque Magnetoresistance Random Access Memory），其主要利用磁致電阻的變化來表示二進制的0和1，從而實現數據的儲存。與現有的DRAM相比，MRAM擁有壽命長、速度快、密度大、功耗低及斷電數據不丟失的特性。
　　這次東芝和海力士的合作主要是希望將MRAM技術產品化，早期的目標是研發MRAM與NAND快閃記憶體的混合儲存產品，而後期目標則是進軍PC記憶體和硬碟領域。不過雖然兩者達成了合作協議，但實際的產品路線圖仍未公佈。