鐵之狂傲

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  早在今年2月份,美光(Micron)就發布了其創新記憶體技術Hybrid Memory Cube(混合記憶體立方體,以下簡稱HMC)。而在日前的Hot Chips大會上,美光再次展示了這個技術,並將其稱為是“DRAM記憶體的未來”。

  美光方面表示,HMC記憶體技術最大的突破就是記憶體頻寬,目前DDR3-1600記憶體可以提供的頻寬為12.8GB/s,但是在展會上的HMC記憶體則可以提供128GB/s的頻寬,而且功耗和體積僅有DDR3記憶體的10%。
  當然,這並不是HMC記憶體的最終形態。據目前資料顯示,HMC記憶體技術採用的是堆疊封裝技術,將多層DRAM和一層邏輯電路共同封裝,並採用TSV矽穿孔技術進行互聯。其中邏輯電路層起重要作用,其將扮演記憶體控製器的角色,以超高頻寬匯流排與CPU連接,頻寬最高可達DDR3記憶體的20倍。
 
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