四核手機會燒袋？Galaxy S3 vs HTC One X溫度測試

VIRGOS

　　香港媒體unwire.hk昨天放出了一篇關於目前旗艦四核手機的溫度測試對比。

　　智慧型手機已經進入了四核時代，運行時會產生不少熱量，加上不時有電池爆炸的傳聞，讓大多數把手機放在褲袋的男士們感覺壓力山大。unwire.hk對最近新上市的Samsung Galaxy S3以及HTC One X做了一次溫度對比測試，看四核手機產生的熱量足不足以燒掉褲袋。
　　在Quadrant的跑分測試，Samsung Galaxy S3以5221分領先於HTC One X的4202分。

　　在室溫24℃的環境下，兩台手機的待機溫度約為30度左右。

Samsung Galaxy S3待機溫度29℃

HTC One X待機溫度30℃

　　在壓力測試裡面，兩台手機均以滿載運行5分鐘再採集溫度，測試結果Samsung Galaxy S3的溫度明顯低得多。

Samsung Galaxy S3的情況

Samsung Galaxy S3機身溫度39℃左右

Samsung Galaxy S3攝影機附近溫度30℃左右，沒有明顯發熱

HTC One X的情況

HTC One X攝影機附近溫度50℃左右，有燙手感

HTC One X機身溫度33℃左右

　　最後unwire.hk表示HTC One x雖然測試到50度的高溫，但其只能作為溫茶之用，算是在安全範圍之內。

　　我們對unwire.hk的測試進行一下點評，Samsung Galaxy S3和HTC One X都是採用了聚碳酸酯(Polycarbonate，PC)材料，不過這種材料在宣傳時被偷換了概念，炒作得有點誇張，簡單說就是工程塑料，材料一致加上手機外殼顏色基本一致，用紅外槍採集溫度是一種可取的辦法。

　　但問題出在這裡，測試方沒有搞清楚這兩部手機的內部結構，三星Galaxy S3的佈局不同於以往的手機，它把主要幾顆晶片都放到接近手機話筒的一邊，而HTC One X的核心元件則放在攝影機附近。

圖片引用自新浪微博 @小馬玩手機

圖片引用自it168

　　所以，測試文章出現那麼大的溫度差距的主要原因不是由於Galaxy S3使用了32nm的Exynos 4212處理器，HTC使用了40nm的Tegra 3，而是因為溫度採集點設置的問題。

　　雖然小編也認為32nm的工藝發熱量要比40nm的低，但糾正一下測溫點後再測試可能結果會更公正。