正面對抗Intel，GF宣佈2014年量產14nm-XM工藝

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　　Intel前幾日的IDF會議上表示其14nm工藝進展順利，預計明年底就會開始應用，2014年大規模量產。另一大晶圓廠商GlobalFoundries也不甘示弱，今天宣佈在14nm工藝節點新增XM 3D晶體管工藝，同樣在2014年量產。 　　據BSN報導，14nm-XM工藝實際名為XM PDK(eXtreme Mobility Process Development Kit，超級移動工藝開髮套件)，同樣支援FinFET薄膜晶體管工藝，也就是我們常說的3D晶體管工藝。該工藝預期在2013年早些時候流片，2014年將在GF位於紐約Malta的Fab 8晶圓廠開始量產。

　　以往的工藝升級間隔為2年，14nm-XM工藝與2013年量產的20nm工藝間隔只有一年，這明顯是針對Intel同期發布的14nm Broadwell處理器而來。
　　另外，該工藝將使用14nm的3D晶體管，並混合現有20nm工藝的部分特點。GF公司CTO Gregg Bartlett聲稱“我們研發FinFET工藝已經超過10年，因此對於引領FinFET工藝的早日量產我們非常自信，就像我們之前在HKMG工藝上的領先一樣”。

　　GF稱他們的14nm FinFET工藝的晶體管間距48nm，這與Intel的14nm 3D晶體管是一樣的，其他方面的參數及功能也與Intel同期工藝相近或者是一致的，這意味着2014年的SOC晶片競爭會很有趣。
　　GF公司全球市場與銷售部門的執行副總Mike Noonan表示“我們的目標是給使用者帶來與Intel一樣的功耗和性能。”。GF的14nm-XM工藝雖然使用了14nm的FinFET晶體管，但是PDK工藝的風險與20nm工藝沒有區別，換句話就是這代工藝有14nm工藝的優點，但是主要基礎來源於20nm，使用者的製程轉換會很容易。

XM工藝優勢：同樣的電壓下20-55%的性能提升

優勢二：電池續航時間提升40-60%