TSMC工藝路線圖：2013年底試產16nm FinFET工藝

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　　雖然已經不止一家公司宣稱今年底就要推出64位ARM處理器進軍伺服器市場，但是64位ARM V8處理器真正有所作為還要等一兩年時間，因為它將使用TSMC的FinFET薄膜晶體管工藝，在2014年的16nm工藝節點上才會正式啟用。

　　根據TSMC公佈的路線圖，28nm工藝已經是過去時(產能問題解決了嗎？)，明年將啟用CLN20SOC工藝，也就是20nm HKMG工藝，2014年會進入16nm FinFET時代，但是2013年11月份TSMC就會開始小大量試產這一工藝，儘可能降低2014年的工藝風險。再往後就是2016年的10nm FinFET工藝階段了。
　　工藝轉換的過程不一定都是那麼順利的，有公司表示他們在20nm節點就遇到了障礙，必須要重新設計像USB這樣的整合電路圖，花了近一年時間，原因就是20nm工藝的晶體管只有1.8V電壓，而USB晶片正常來說需要5V及3.3V電壓。
　　EDA(電子自動化設計)業界的高級主管們表現現在比較TSMC的16nm FinFET工藝與競爭對手比如GlobalFoundries公司的同代工藝為時過早，後者宣佈將在2014年推出14nm-XM工藝，使用的也是FinFET晶體管。目前這些晶圓廠的FinFET工藝還處於初期階段，尚未達到最優狀態，雖然已經有廠商開始使用這一工藝流片了。
　　TSMC研發副總Cliff Hou表示他們的16nm FinFET工藝在後端工序上與20nm SOC工藝相似，其他公司在向14nm/16nm工藝邁進的時候也會選擇與20/22nm工藝相近的後端處理程序以降低風險。
　　TSMC稱將在明年1月份提供16nm FinFET工藝的設計工具，之後一個月會有首個包含cell單元和SDRAM單元的IP內核，2013年11月份會開始進行TSMC稱為“Risk Production”的限量試產，四到五個季之後會正式開始流片，換言之一切順利將在2014年底量產16nm FinFET工藝，不順利的話就得延後，路線圖上已經留出了2015年這段時間做後路了。
　　TSMC表示，FinFET工藝的漏電流跟20nm差不多，畢竟它就是以後者為基礎的，但是FinFET工藝可以大幅提升電路性能達35%，總的功耗也能下降35%。
來源：EETimes