Rambus進軍移動市場，R+ LPDDR3記憶體速度可達3.2Gbps

LEOZ

　　Rambus公司宣佈他們針對移動市場推出第一款LPDDR3記憶體。該記憶體為R+ LPDDR3架構，符合業界標準，使用了更好的設計，能縮短產品開發周期，提供更好的性能。
　　R+ LPDDR3架構包括控製器和DRAM界面，符合DFI和JEDEC標準，減少運行記憶體系統的電量消耗最高達25%，而運行DRAM的電量則減少最高達30%，數據傳輸速度提升到1600Mbps至3200Mbps，每個設備的頻寬可以達到12.8GB/s。它的性能約為LPDDR3的兩倍。

　　R+ LPDDR3使用新的溫控技術，延長了終端設備上的電池使用時間，記憶體系統可以在最大頻寬狀態下運行更長的時間。Rambus的人員表示這項技術只是他們R+平台的一部分。
　　該架構還使用了Rambus的NGS(近閾信號)、單端、近場終止技術，向下相容LPDDR3、LPDDR2。實際上，它獨特的信號技術可以在明顯降低I/O功耗的情況下實現更高的數據傳輸率。