三星開始量產10奈米128Gb TLC NAND快閃記憶體晶片

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　　三星宣佈開始量產10奈米的128Gb TLC NAND快閃記憶體晶片。在去年11月時三星才開始生產10奈米的64Gb TLC NAND快閃記憶體晶片，而現在已經翻倍了。
　　據Softpedia介紹，新的快閃記憶體晶片將會應用於128GB的儲存卡，500GB或更高容量的SSD固態硬碟，PCI-E介面的SSD，還有其他方面。

　　三星表示新晶片使用了Toggle DDR 2.0介面，傳輸速度可以達到400Mbps，而儲存密度也是業界最高的。與20奈米的64Gb TLC快閃記憶體相比，10奈米的128Gb TLC快閃記憶體產品的生產力可以達到它的兩倍。
　　2010年，三星首次大量生產了20奈米的64Gb TLC快閃記憶體產品，隨後搭載於去年推出的840系列SSD產品。