TSMC:2016年推10nm工藝，2017年進軍450mm晶圓

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　　由於移動處理器市場需求不斷擴大，TSMC台積電的資本投資也在攀升，今年90億美元的資本支出中有15億美元投向了R&D研發，不僅提升了現有的28nm產能，2016到2017年見也會進入到10nm及7nm FinFET工藝，下一代的450mm(18英吋)晶圓工廠也將在2017年啟動。

　　TSMC在2010年的R&D研發費用是10億美元，2012年的研發費用是13.6億美元，今年增加到了15億美元，未來幾年還會繼續增長。這些費用很大一部分都用於開發未來更先進的16nm、10nm製程工藝，TSMC預計在明年開始生產16nm FinFET工藝。
　　根據之前及TSMC日前公開的消息，TSMC今年底將開始小幅試產20nm工藝，CEO張忠謀表示在2014年會開始大規模量產20nm工藝。
　　目前的主流還是28nm工藝，而且28nm工藝並不會停滯不前，TSMC還在努力擴大對應的產能，預計到今年底將達到(每月)10萬片等效300mm晶圓的水準，是2012年產能的三倍之多。
　　至於450mm晶圓，TSMC在2017年會啟動相關的工廠建設工作，但是真正的量產恐怕還得等幾年，因為提供關鍵半導體製造設備的ASML公司預計2018年才會正式量產。