2D快閃記憶體還有一兩代可活，未來是3D NAND的天下

LEOZ

　　Intel在處理器製程工藝上已經實現了3D晶體管的量產，現在他們又準備把3D帶到NAND快閃記憶體製造中去。當然，NAND中的3D不是3D晶體管，而是3D堆棧佈局，Intel高級主管預測現有的20nm NAND工藝在過一兩代就會進入新的3D堆棧時代了。
　　在上周舉辦的比利時微電子研究中心技術論壇會議上，Intel高級技術副總、IMFT聯合CEO Keyvan Esfarjani談論了IMFT公司對3D NAND的一些看法。目前的非易失性NAND的Cell單元還是2D排列的，新的3D堆棧NAND將以GAA(Gate All Around)的結構形式將傳統的2D Cell單元垂直排列起來。

　　目前東芝在3D NAND快閃記憶體上的研究處於領先地位，去年底他們宣佈使用p-BiCS(pipe-shaped Bit Cost Scalable)技術在一個50nm寬的垂直通道上整合了16層NAND單元，今年開始出樣，2015年量產，東芝的p-BiCS技術將晶體管以U形排列。
　　目前3D堆棧NAND還不夠成熟，而且現有的2D NAND還未到極限，目前的主流是20nm，預計還有15nm、10nm的製程工藝可供升級，3D堆棧工藝可能在15nm節點出現。
　　此外，Esfarjani表示目前16層的3D NAND在成本上還不能顯示出成本優勢，需要64層堆棧，至少也要達到32層的水準才行。
　　IMFT在20nm工藝節點使用了浮柵高K金屬柵極Cell結構(floating-gate high-K metal gate)取代了34nm及25nm工藝使用的環繞式Cell結構(wrap-around)，2012年時IMFT就展示過了128Gbit容量的NAND快閃記憶體，美光的M500 SSD[url=https://www.gamez.com.tw/forum.php?mod=forumdisplay&fid=509&filter=typeid&typeid=3607]固態硬碟[/url]使用的就是128Gbit的NAND。