半導體領域的里程碑，美光試產16nm工藝MLC NAND快閃記憶體

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　　目前MLC NAND快閃記憶體的製程已經過渡至20nm等級，不少SSD產品都已經採用了新製程的快閃記憶體。而美光科技則走得要比別人快一些，他們已經開始試產採用16nm工藝打造的128Gb MLC NAND快閃記憶體，這種製程工藝在快閃記憶體領域乃至已經試產的半導體產品中都是最先進的，堪稱是里程碑。

16nm工藝128Gb MLC NAND快閃記憶體

　　據美光提供的消息指出，目前試產的128Gb MLC NAND快閃記憶體主要用在消費級SSD、快閃記憶體碟、儲存卡、平板電腦、智慧型手機、超薄移動設備以及雲儲存數據中心等地方。由於製程上的優勢，新的快閃記憶體晶片體積更小，因此在同樣面積的晶圓上可以生產出更多的成品，目前一塊16nm工藝晶圓的總容量可達6TB。

16nm工藝晶圓

　　由於單顆晶圓可以切割出更多的快閃記憶體晶片，因此同樣容量的16nm工藝快閃記憶體在成本上要比20nm等級產品更低，因此新工藝對降低SSD成本會造成促進作用，未來在同樣的價格下，玩家可以買到容量更大的SSD產品。
　　目前美光已經開始試產16nm工藝128Gb MLC NAND快閃記憶體，主要提供給合作夥伴進行測試，真正的量產要到今年第四季。同時美光已經着手開發基於16nm快閃記憶體的SSD產品，預計會在2014年登場。另外考慮到英特爾和美光在NAND上的緊密合作關係，我們相信英特爾的16nm工藝SSD產品也已經在研發當中，進度上應該與美光大致相同。